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金屬薄膜方塊電阻測(cè)試儀KDB-2B 儀器特點(diǎn)

發(fā)布時(shí)間： 2016-04-08　　點(diǎn)擊次數(shù)： 669次

KDB-2B為四探針?lè)y(cè)量金屬薄膜的方塊電阻，該方法操作簡(jiǎn)單，測(cè)量。
儀器特點(diǎn)如下：
1、配有雙數(shù)字表：一塊數(shù)字表在測(cè)量顯示硅片電阻率的同時(shí)，另一塊數(shù)字表（以萬(wàn)分之幾的精度）適時(shí)監(jiān)測(cè)全過(guò)程中的電流變化，使操作更簡(jiǎn)便，測(cè)量更。
數(shù)字電壓表量程：0—19.999mV 靈敏度：1μV 輸入阻抗：1000ΜΩ
基本誤差±(0.04-0.05%讀數(shù)+0.01%滿(mǎn)度) ；
2、方塊電阻測(cè)量范圍：1×10-5～1.9Ω/□；
3、電流量程分兩檔：100mA和1000mA。

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金屬薄膜方塊電阻測(cè)試儀KDB-2B 儀器特點(diǎn)